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GE12047CCA3
1200V 475A SIC HALF-BRIDGE MODUL
Número de pieza NOVA:
303-2361080-GE12047CCA3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
GE12047CCA3
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:
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Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 475A 1250W Chassis Mount -
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | General Electric | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (Tc) | |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - | |
| Paquete / Caja | Module | |
| Serie | SiC Power | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 475A | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 475A, 20V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 160mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 1248nC @ 18V | |
| Función FET | Silicon Carbide (SiC) | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 29.3nF @ 600V | |
| Potencia - Máx. | 1250W | |
| Otros nombres | 4014-GE12047CCA3 |
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