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SI5947DU-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Número de pieza NOVA:
303-2254156-SI5947DU-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI5947DU-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® ChipFet Dual | |
| Número de producto base | SI5947 | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® ChipFET™ Dual | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 6A | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 3.6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 17nC @ 10V | |
| Función FET | Logic Level Gate | |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 480pF @ 10V | |
| Potencia - Máx. | 10.4W | |
| Otros nombres | SI5947DU-T1-GE3TR SI5947DUT1GE3 SI5947DU-T1-GE3CT SI5947DU-T1-GE3DKR |
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