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Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-23
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
Fabricante | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | TSOT-23 | |
Número de producto base | DMG6602 | |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
Serie | - | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 3.4A, 2.8A | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.3V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 13nC @ 10V | |
Función FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive | |
Tipo FET | N and P-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 400pF @ 15V | |
Potencia - Máx. | 840mW | |
Otros nombres | DMG6602SVT-7DITR DMG6602SVT7 DMG6602SVT-7DICT DMG6602SVT-7DIDKR |
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