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SQJ992EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
Número de pieza NOVA:
303-2251591-SQJ992EP-T1_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQJ992EP-T1_GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Número de producto base | SQJ992 | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 15A | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 56.2mOhm @ 3.7A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 12nC @ 10V | |
| Función FET | Standard | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 446pF @ 30V | |
| Potencia - Máx. | 34W | |
| Otros nombres | SQJ992EP-T1_GE3-ND SQJ992EP-T1_GE3TR SQJ992EP-T1-GE3 SQJ992EP-T1_GE3DKR SQJ992EP-T1-GE3-ND SQJ992EP-T1_GE3CT |
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