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SI4916DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Número de pieza NOVA:
303-2254306-SI4916DY-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI4916DY-T1-GE3
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
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Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SOIC
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
| Número de producto base | SI4916 | |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Serie | LITTLE FOOT® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 10A, 10.5A | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 10nC @ 4.5V | |
| Función FET | Logic Level Gate | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - | |
| Potencia - Máx. | 3.3W, 3.5W |
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