DMG6601LVT-7

MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT

Número de pieza NOVA:

303-2251288-DMG6601LVT-7

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

DMG6601LVT-7

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-23

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Diodes Incorporated
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TSOT-23
Número de producto base	DMG6601
Paquete / Caja	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	3.8A, 2.5A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	55mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	12.3nC @ 10V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	N and P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	422pF @ 15V
Potencia - Máx.	850mW
Otros nombres	DMG6601LVT-7DICT DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT-7DIDKR DMG6601LVT7

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