BSM600D12P3G001

1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S
Número de pieza NOVA:
303-2250944-BSM600D12P3G001
Número de parte del fabricante:
BSM600D12P3G001
Embalaje estándar:
4
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Chassis Mount Module

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Matrices
FabricanteRohm Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeChassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Número de producto base BSM600
Paquete / CajaModule
Serie-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 600A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 5.6V @ 182mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
Función FETSilicon Carbide (SiC)
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)1200V (1.2kV)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 31000pF @ 10V
Potencia - Máx. 2450W (Tc)
Otros nombres846-BSM600D12P3G001

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