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SI5515CDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Número de pieza NOVA:
303-2251431-SI5515CDC-T1-E3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI5515CDC-T1-E3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A (Tc) 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 1206-8 ChipFET™ | |
| Número de producto base | SI5515 | |
| Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 4A (Tc) | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 800mV @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 11.3nC @ 5V | |
| Función FET | Logic Level Gate | |
| Tipo FET | N and P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 632pF @ 10V | |
| Potencia - Máx. | 3.1W | |
| Otros nombres | SI5515CDC-T1-E3DKR SI5515CDC-T1-E3CT SI5515CDC-T1-E3-ND SI5515CDC-T1-E3TR |
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