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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | ES6 | |
Número de producto base | SSM6N16 | |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 | |
Serie | - | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 10mA, 4V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.1V @ 100µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | - | |
Función FET | Standard | |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9.3pF @ 3V | |
Potencia - Máx. | 150mW (Ta) | |
Otros nombres | SSM6N16FE,L3F(B SSM6N16FEL3FCT SSM6N16FEL3FTR SSM6N16FEL3FDKR |
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