SI5999EDU-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
Número de pieza NOVA:
303-2254929-SI5999EDU-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI5999EDU-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Matrices
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® ChipFet Dual
Número de producto base SI5999
Paquete / CajaPowerPAK® ChipFET™ Dual
SerieTrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 6A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 20nC @ 10V
Función FETLogic Level Gate
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 496pF @ 10V
Potencia - Máx. 10.4W
Otros nombresSI5999EDU-T1-GE3DKR
SI5999EDUT1GE3
SI5999EDU-T1-GE3CT
SI5999EDU-T1-GE3TR

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