DDTD113ZC-7-F

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Número de pieza NOVA:
304-2061037-DDTD113ZC-7-F
Número de parte del fabricante:
DDTD113ZC-7-F
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3

More Information
CategoríaTransistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizado
FabricanteDiodes Incorporated
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3
Número de producto base DDTD113
Serie-
Resistencia - Base (R1)1 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)10 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Frecuencia - Transición200 MHz
Paquete / CajaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Corriente: corte del colector (máx.)500nA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.)50 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 500 mA
Tipo de transistorNPN - Pre-Biased
Potencia - Máx. 200 mW
Otros nombresDDTD113ZC-7-FDICT
DDTD113ZC-7FDIDKR
DDTD113ZC-7-FDIDKR
DDTD113ZC7F
DDTD113ZC-7-FDITR
DDTD113ZC-7-FDICT-ND
DDTD113ZC-7FDICT
DDTD113ZC-7-FDITR-ND
DDTD113ZC-7-F-ND
DDTD113ZC-7FDITR
DDTD113ZC-7-FDIDKR-ND

In stock Por favor contáctenos

Whatsapp

?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.