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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Categoría | Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizado | |
Fabricante | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-323 | |
Número de producto base | BCR112 | |
Serie | - | |
Resistencia - Base (R1) | 4.7 kOhms | |
Resistencia - Base del emisor (R2) | 4.7 kOhms | |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V | |
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
Frecuencia - Transición | 140 MHz | |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 | |
Corriente: corte del colector (máx.) | 100nA (ICBO) | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 50 V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 100 mA | |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased | |
Potencia - Máx. | 250 mW | |
Otros nombres | BCR 112W E6327 BCR 112W E6327-ND BCR112WE6327 BCR112WE6327BTSA1TR BCR112WE6327XT SP000010748 |
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