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Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Surface Mount S-Mini
Categoría | Transistores - Bipolar (BJT) - Simple | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | S-Mini | |
Número de producto base | 2SA1162 | |
Serie | - | |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V | |
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | |
Frecuencia - Transición | 80MHz | |
Corriente: corte del colector (máx.) | 100µA (ICBO) | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 50 V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 150 mA | |
Tipo de transistor | PNP | |
Potencia - Máx. | 150 mW | |
Otros nombres | 2SA1162-YLFTR 2SA1162-Y,LF(B 2SA1162-Y,LF(T 2SA1162-YLFCT 2SA1162-YLFDKR |
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