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Bipolar (BJT) Transistor NPN 375 V 6 A - 115 W Through Hole TO-218
Categoría | Transistores - Bipolar (BJT) - Simple | |
Fabricante | Central Semiconductor Corp | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | - | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-218 | |
Serie | - | |
Paquete / Caja | TO-218-3 | |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - | |
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 2.5A | |
Frecuencia - Transición | - | |
Corriente: corte del colector (máx.) | - | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 375 V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 6 A | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potencia - Máx. | 115 W |
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