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Bipolar (BJT) Transistor - 80 V 3 A 30MHz 6.7 W Through Hole TO-5
Categoría | Transistores - Bipolar (BJT) - Simple | |
Fabricante | General Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | - | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-5 | |
Serie | - | |
Paquete / Caja | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V | |
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 1A | |
Frecuencia - Transición | 30MHz | |
Corriente: corte del colector (máx.) | 100nA (ICBO) | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 80 V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 3 A | |
Tipo de transistor | - | |
Potencia - Máx. | 6.7 W | |
Otros nombres | GSIGSI2N2849-1 2156-2N2849-1 |
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