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RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount Micro-X ceramic (84C)
Categoría | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | |
Fabricante | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | Micro-X ceramic (84C) | |
Número de producto base | MRF581 | |
Serie | - | |
Figura de ruido (dB tipo @ f) | 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz | |
Paquete / Caja | Micro-X ceramic (84C) | |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V | |
Frecuencia - Transición | 5GHz | |
Ganar | 13dB ~ 15.5dB | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 18V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 200mA | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potencia - Máx. | 1.25W | |
Otros nombres | MRF581GMI MRF581GMI-ND MRF581G-ND 150-MRF581G |
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