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RF Transistor - 65V 80A 1.09GHz 2900W Chassis Mount 55KV
Categoría | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | |
Fabricante | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | 200°C | |
Tipo de montaje | Chassis Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | 55KV | |
Serie | - | |
Figura de ruido (dB tipo @ f) | - | |
Paquete / Caja | 55KV | |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V | |
Frecuencia - Transición | 1.09GHz | |
Ganar | 6dB | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 65V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 80A | |
Tipo de transistor | - | |
Potencia - Máx. | 2900W | |
Otros nombres | TPR1000A-ND 150-TPR1000A |
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