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RF Transistor NPN 65V 46A 1.09GHz 2300W Chassis Mount M112
Categoría | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | |
Fabricante | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | 200°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Chassis Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | M112 | |
Serie | - | |
Figura de ruido (dB tipo @ f) | - | |
Paquete / Caja | M112 | |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 1A, 5V | |
Frecuencia - Transición | 1.09GHz | |
Ganar | 6dB | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 65V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 46A | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potencia - Máx. | 2300W | |
Otros nombres | MS2473-ND 150-MS2473 |
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