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RF Transistor NPN 65V 80A 1.03GHz 3400W Chassis Mount 55SW
Categoría | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | |
Fabricante | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | 200°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Chassis Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | 55SW | |
Serie | - | |
Figura de ruido (dB tipo @ f) | - | |
Paquete / Caja | 55SW | |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 5A, 5V | |
Frecuencia - Transición | 1.03GHz | |
Ganar | 10dB ~ 10.5dB | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 65V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 80A | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potencia - Máx. | 3400W | |
Otros nombres | ITC1100-ND 150-ITC1100 |
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