EMB2T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Número de pieza NOVA:
299-2013182-EMB2T2R
Número de parte del fabricante:
EMB2T2R
Embalaje estándar:
8,000
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

More Information
CategoríaTransistores - Bipolares (BJT) - Matrices, prepolarizadas
FabricanteRohm Semiconductor
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor EMT6
Número de producto base EMB2T2
Serie-
Paquete / CajaSOT-563, SOT-666
Resistencia - Base (R1)47kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)47kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Frecuencia - Transición250MHz
Corriente: corte del colector (máx.)500nA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.)50V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100mA
Tipo de transistor2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Potencia - Máx. 150mW
Otros nombresEMB2T2R-ND
EMB2T2RTR
EMB2T2RDKR
EMB2T2RCT

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