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RN1970FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Número de pieza NOVA:
299-2017456-RN1970FE(TE85L,F)
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
RN1970FE(TE85L,F)
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
| Categoría | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, prepolarizadas | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ES6 | |
| Número de producto base | RN1970 | |
| Serie | - | |
| Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 | |
| Resistencia - Base (R1) | 4.7kOhms | |
| Resistencia - Base del emisor (R2) | - | |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V | |
| Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| Frecuencia - Transición | 250MHz | |
| Corriente: corte del colector (máx.) | 100nA (ICBO) | |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 50V | |
| Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 100mA | |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | |
| Potencia - Máx. | 100mW | |
| Otros nombres | RN1970FE(TE85LF)DKR RN1970FE(TE85LF)CT RN1970FE(TE85LF)TR |
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