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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6
Categoría | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, prepolarizadas | |
Fabricante | Rohm Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | EMT6 | |
Número de producto base | EMF8T2 | |
Serie | - | |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 | |
Resistencia - Base (R1) | 47kOhms | |
Resistencia - Base del emisor (R2) | 47kOhms | |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V | |
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA | |
Frecuencia - Transición | 250MHz, 320MHz | |
Corriente: corte del colector (máx.) | 500nA | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 50V, 12V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 100mA, 500mA | |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN | |
Potencia - Máx. | 150mW |
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