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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP 50V, 65V 100mA - 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Categoría | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, prepolarizadas | |
Fabricante | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
Número de producto base | NSM111 | |
Serie | - | |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
Resistencia - Base (R1) | 10kOhms | |
Resistencia - Base del emisor (R2) | 10kOhms | |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V | |
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA | |
Frecuencia - Transición | - | |
Corriente: corte del colector (máx.) | 500nA | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 50V, 65V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 100mA | |
Tipo de transistor | 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP | |
Potencia - Máx. | 230mW | |
Otros nombres | 2156-NSM11156DW6T1G-ONTR ONSONSNSM11156DW6T1G |
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