RN2965FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Número de pieza NOVA:
299-2017463-RN2965FE(TE85L,F)
Número de parte del fabricante:
RN2965FE(TE85L,F)
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6

More Information
CategoríaTransistores - Bipolares (BJT) - Matrices, prepolarizadas
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor ES6
Número de producto base RN2965
Serie-
Paquete / CajaSOT-563, SOT-666
Resistencia - Base (R1)2.2kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)47kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Frecuencia - Transición200MHz
Corriente: corte del colector (máx.)100nA (ICBO)
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.)50V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100mA
Tipo de transistor2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Potencia - Máx. 100mW
Otros nombresRN2965FE(TE85LF)DKR
RN2965FE(TE85LF)TR
RN2965FE(TE85LF)CT

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