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EMD9T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Número de pieza NOVA:
299-2013454-EMD9T2R
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
EMD9T2R
Embalaje estándar:
8,000
Hoja de datos técnicos:
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
| Categoría | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, prepolarizadas | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | EMT6 | |
| Número de producto base | EMD9T2 | |
| Serie | - | |
| Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 | |
| Resistencia - Base (R1) | 10kOhms | |
| Resistencia - Base del emisor (R2) | 47kOhms | |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V | |
| Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| Frecuencia - Transición | 250MHz | |
| Corriente: corte del colector (máx.) | 500nA | |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 50V | |
| Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 100mA | |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
| Potencia - Máx. | 150mW | |
| Otros nombres | EMD9T2RTR EMD9T2RDKR EMD9T2RCT EMD9T2R-ND |
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