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Bipolar (BJT) Transistor Array NPN 400V 12A 4MHz 100W Through Hole TO-220F-3
Categoría | Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices | |
Fabricante | Fairchild Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220F-3 | |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack | |
Serie | - | |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5A, 5V | |
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic | 3V @ 3A, 12A | |
Frecuencia - Transición | 4MHz | |
Corriente: corte del colector (máx.) | - | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 400V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 12A | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potencia - Máx. | 100W | |
Otros nombres | 2156-KSE13009FTU ONSONSKSE13009FTU |
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