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Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW, 210mW Surface Mount US6
Categoría | Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | US6 | |
Número de producto base | HN1B01 | |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
Serie | - | |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V | |
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | |
Frecuencia - Transición | 150MHz | |
Corriente: corte del colector (máx.) | 100nA (ICBO) | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 50V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 150mA | |
Tipo de transistor | NPN, PNP | |
Potencia - Máx. | 200mW, 210mW | |
Otros nombres | HN1B01FU-GRLFCT HN1B01FUGRLFTDKR HN1B01FU-GR,LF(B HN1B01FUGRLFT HN1B01FU-GR,LF(T HN1B01FUGRLFTTR HN1B01FU-GRLFDKR HN1B01FU-GRLF HN1B01FUGRLFTCT-ND HN1B01FU-GRLF-ND HN1B01FU-GRLFINACTIVE HN1B01FU-GRLFTR HN1B01FUGRLFTCT HN1B01FUGRLFTDKR-ND HN1B01FUGRLFTTR-ND HN1B01FU-GR(L,F,T) |
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