HN1B01FU-GR,LF

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
Número de pieza NOVA:
298-2007035-HN1B01FU-GR,LF
Número de parte del fabricante:
HN1B01FU-GR,LF
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW, 210mW Surface Mount US6

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CategoríaTransistores - Bipolar (BJT) - Matrices
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento 125°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor US6
Número de producto base HN1B01
Paquete / Caja6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Serie-
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Frecuencia - Transición150MHz
Corriente: corte del colector (máx.)100nA (ICBO)
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.)50V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 150mA
Tipo de transistorNPN, PNP
Potencia - Máx. 200mW, 210mW
Otros nombresHN1B01FU-GRLFCT
HN1B01FUGRLFTDKR
HN1B01FU-GR,LF(B
HN1B01FUGRLFT
HN1B01FU-GR,LF(T
HN1B01FUGRLFTTR
HN1B01FU-GRLFDKR
HN1B01FU-GRLF
HN1B01FUGRLFTCT-ND
HN1B01FU-GRLF-ND
HN1B01FU-GRLFINACTIVE
HN1B01FU-GRLFTR
HN1B01FUGRLFTCT
HN1B01FUGRLFTDKR-ND
HN1B01FUGRLFTTR-ND
HN1B01FU-GR(L,F,T)

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