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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Base 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Categoría | Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | SMV | |
Número de producto base | HN4C51 | |
Paquete / Caja | SC-74A, SOT-753 | |
Serie | - | |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V | |
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | |
Frecuencia - Transición | 100MHz | |
Corriente: corte del colector (máx.) | 100nA (ICBO) | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 120V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 100mA | |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) Common Base | |
Potencia - Máx. | 300mW | |
Otros nombres | HN4C51J (TE85LF) HN4C51JTE85LF HN4C51J(TE85LF)DKR HN4C51J (TE85L,F) HN4C51J(TE85LF)CT HN4C51J(TE85LF)TR |
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