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Bipolar (BJT) Transistor Array NPN 900V 100mA - 10W Through Hole TO-220-3
Categoría | Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices | |
Fabricante | Fairchild Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220-3 | |
Paquete / Caja | TO-220-3 | |
Serie | - | |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V | |
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic | 5V @ 4mA, 20mA | |
Frecuencia - Transición | - | |
Corriente: corte del colector (máx.) | 10µA (ICBO) | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 900V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 100mA | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potencia - Máx. | 10W | |
Otros nombres | FAIFSCKSC5042TU 2156-KSC5042TU |
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