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N-Channel 20 V 43.7A (Ta), 162A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 | |
Número de producto base | SISA40 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | TrenchFET® Gen IV | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 43.7A (Ta), 162A (Tc) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 10A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.5V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 53 nC @ 10 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 | |
Vgs (Máx.) | +12V, -8V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3415 pF @ 10 V | |
Disipación de energía (máx.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | |
Otros nombres | SISA40DN-T1-GE3CT SISA40DN-T1-GE3DKR SISA40DN-T1-GE3TR |
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