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Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 10A Through Hole TO-247-2
Categoría | Diodos - Rectificadores - Simples | |
Fabricante | SemiQ | |
RoHS | 1 | |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-2 | |
Serie | Amp+™ | |
Corriente - Media Rectificada (Io) | 10A | |
Paquete / Caja | TO-247-2 | |
Temperatura de funcionamiento: unión | -55°C ~ 175°C | |
Capacitancia @ Vr, F | 635pF @ 1V, 1MHz | |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 20 µA @ 1200 V | |
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1.8 V @ 10 A | |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky | |
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 1200 V | |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns | |
Otros nombres | 1560-1044-5 |
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