IDH04G65C6XKSA1

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2

Número de pieza NOVA:

287-2371184-IDH04G65C6XKSA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IDH04G65C6XKSA1

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

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Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2

More Information
Categoría	Diodos - Rectificadores - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO220-2
Número de producto base	IDH04G65
Serie	-
Corriente - Media Rectificada (Io)	12A (DC)
Paquete / Caja	TO-220-2
Temperatura de funcionamiento: unión	-55°C ~ 175°C
Capacitancia @ Vr, F	205pF @ 1V, 1MHz
Corriente - Fuga inversa @ Vr	14 µA @ 420 V
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si	1.35 V @ 4 A
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)	650 V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0 ns
Otros nombres	SP001600960

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