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UJ3D06504TS
650V 4A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T
Número de pieza NOVA:
287-2378380-UJ3D06504TS
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
UJ3D06504TS
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:
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Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 4A (DC) Through Hole TO-220-2
| Categoría | Diodos - Rectificadores - Simples | |
| Fabricante | UnitedSiC | |
| RoHS | 1 | |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220-2 | |
| Número de producto base | UJ3D06504 | |
| Serie | Gen-III | |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 4A (DC) | |
| Paquete / Caja | TO-220-2 | |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -55°C ~ 175°C | |
| Capacitancia @ Vr, F | 118pF @ 1V, 1MHz | |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 25 µA @ 650 V | |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1.7 V @ 4 A | |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky | |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 650 V | |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns | |
| Otros nombres | 2312-UJ3D06504TS |
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