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Categoría | Circuitos integrados de controlador de potencia de RF | |
Fabricante | Omron Electronics Inc-EMC Div | |
RoHS | 1 | |
Serie | G8HN | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C | |
Tipo de montaje | Socketable | |
Número de producto base | G8HN | |
Potencia de la bobina | 1.3W | |
Voltaje de la bobina | 12VDC | |
Calificación de contacto (actual) | 10 A | |
Voltaje de conmutación | 16VDC - Max | |
Tipo de bobina | Non Latching | |
Debe operar voltaje | 8.5 VDC | |
Debe liberar voltaje | 1 VDC | |
Tiempo de operación | 20 ms | |
Tiempo de liberación | 10 ms | |
Resistencia de la bobina | 110 Ohms | |
Material de contacto | Silver Tin Oxide (AgSnO) | |
Características | - | |
Formulario de contacto | SPDT (1 Form C) | |
Estilo de terminación | Plug In | |
Otros nombres | G8HN1C2TRDC12BYOMI1 Z2247 G8HN-1C2T-R-DC12 G8HN1C2TRDC12 Q3724980 34F23130900 |
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