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JFET P-Channel 30 V 400 mW Through Hole TO-92-3
Kategorie | Transistoren – JFETs | |
Hersteller | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-92-3 | |
Basisproduktnummer | J175 | |
Serie | - | |
FET-Typ | P-Channel | |
Spannung - Durchschlag (V(BR)GSS) | 30 V | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 8pF @ 10V (VGS) | |
Widerstand – RDS(Ein) | 125 Ohms | |
Paket/Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
Strom – Entleerung (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 7 mA @ 15 V | |
Spannung – Abschaltung (VGS aus) @ Id | 3 V @ 10 nA | |
Leistung max | 400 mW | |
Andere Namen | J175 T/R-ND J175 T/R 954-J175116 934005300116 |
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