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IGBT NPT 1200 V 75 A 521 W Through Hole TO-247
Kategorie | Transistoren – IGBTs – einzeln | |
Hersteller | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-247 | |
Eingabetyp | Standard | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 1200 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 75 A | |
Serie | - | |
IGBT-Typ | NPT | |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) | 100 A | |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A | |
Energie wechseln | 434µJ (on), 466µJ (off) | |
Gate-Gebühr | 203 nC | |
Td (ein/aus) bei 25 °C | 16ns/122ns | |
Paket/Koffer | TO-247-3 | |
Leistung max | 521 W | |
Testbedingung | 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V | |
Andere Namen | APT25GR120BSCD10-ND 150-APT25GR120BSCD10 |
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