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IGBT Trench 600 V 80 A 50 W Through Hole TO-3PFM
Kategorie | Transistoren – IGBTs – einzeln | |
Hersteller | Renesas Electronics America Inc | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-3PFM | |
Basisproduktnummer | RJH60D6 | |
Eingabetyp | Standard | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 600 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 80 A | |
Serie | - | |
IGBT-Typ | Trench | |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 40A | |
Energie wechseln | 850µJ (on), 600µJ (off) | |
Gate-Gebühr | 104 nC | |
Td (ein/aus) bei 25 °C | 50ns/160ns | |
Reverse Recovery Time (trr) | 100 ns | |
Paket/Koffer | TO-220-3 Full Pack | |
Leistung max | 50 W | |
Testbedingung | 300V, 40A, 5Ohm, 15V | |
Andere Namen | RJH60D6DPM00T1 |
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