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IGBT NPT 650 V 208 A 892 W Through Hole T-MAX™ [B2]
Kategorie | Transistoren – IGBTs – einzeln | |
Hersteller | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | T-MAX™ [B2] | |
Basisproduktnummer | APT95GR65 | |
Eingabetyp | Standard | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 650 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 208 A | |
Serie | - | |
IGBT-Typ | NPT | |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) | 400 A | |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 95A | |
Energie wechseln | 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) | |
Gate-Gebühr | 420 nC | |
Td (ein/aus) bei 25 °C | 29ns/226ns | |
Paket/Koffer | TO-247-3 | |
Leistung max | 892 W | |
Testbedingung | 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V |
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