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IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700 V 70 A 310 W Chassis Mount D1
Kategorie | Transistoren – IGBTs – Module | |
Hersteller | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | - | |
Befestigungsart | Chassis Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | D1 | |
Eingang | Standard | |
Aufbau | Half Bridge | |
Serie | - | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 6 mA | |
Eingangskapazität (Cies) bei Vce | 4.4 nF @ 25 V | |
NTC-Thermistor | No | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 1700 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 70 A | |
Paket/Koffer | D1 | |
IGBT-Typ | Trench Field Stop | |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 50A | |
Leistung max | 310 W | |
Andere Namen | APTGT50A170D1G-ND 150-APTGT50A170D1G |
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