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BSB028N06NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
NOVA-Teilenummer:
312-2288731-BSB028N06NN3GXUMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSB028N06NN3GXUMA1
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 60 V 22A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | MG-WDSON-2, CanPAK M™ | |
| Basisproduktnummer | BSB028 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 22A (Ta), 90A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 102µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 143 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 3-WDSON | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 12000 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.2W (Ta), 78W (Tc) | |
| Andere Namen | BSB028N06NN3 GDKR BSB028N06NN3GXUMA1DKR BSB028N06NN3G BSB028N06NN3 GCT-ND SP000605956 BSB028N06NN3 GCT BSB028N06NN3 G BSB028N06NN3 G-ND BSB028N06NN3GXUMA1CT BSB028N06NN3 GTR-ND BSB028N06NN3 GDKR-ND BSB028N06NN3GXUMA1TR |
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