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SQP120N10-09_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
NOVA-Teilenummer:
312-2305745-SQP120N10-09_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQP120N10-09_GE3
Standardpaket:
500
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220AB | |
| Basisproduktnummer | SQP120 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 120A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 8645 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) | |
| Andere Namen | SQP120N10-09_GE3TRINACTIVE SQP120N10-09_GE3CT-ND SQP120N10-09_GE3DKR-ND SQP120N10-09_GE3CT SQP120N10-09_GE3TR SQP120N10-09_GE3DKR SQP120N10-09_GE3DKRINACTIVE SQP120N10-09_GE3TR-ND |
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