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N-Channel 60 V 120A (Tc) 293W (Tc) Through Hole I2PAK
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | I2PAK | |
Basisproduktnummer | BUK9 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | TrenchMOS™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 120A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 25A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 5 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
Vgs (Max) | ±10V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 13490 pF @ 25 V | |
Verlustleistung (max.) | 293W (Tc) | |
Andere Namen | 568-9874-5 934066631127 BUK9E3R760E127 |
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