SI7898DP-T1-E3

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MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

NOVA-Teilenummer:

312-2282858-SI7898DP-T1-E3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI7898DP-T1-E3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

N-Channel 150 V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer	SI7898
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SO-8
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Verlustleistung (max.)	1.9W (Ta)
Andere Namen	SI7898DP-T1-E3DKR SI7898DP-T1-E3CT SI7898DPT1E3 SI7898DP-T1-E3TR