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N-Channel 20 V 5.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | Micro8™ | |
Basisproduktnummer | IRF7601 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | HEXFET® | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.7A (Ta) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 2.7V, 4.5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 3.8A, 4.5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | |
Vgs (Max) | ±12V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 650 pF @ 15 V | |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) | |
Andere Namen | IRF7601TRPBFTR IRF7601TRPBF-ND IRF7601TRPBFDKR IRF7601TRPBFCT SP001570552 |
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