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N-Channel 1200 V 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Wolfspeed, Inc. | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | Die | |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Serie | Z-FET™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Tj) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 20V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8 nC @ 20 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | Die | |
Vgs (Max) | +25V, -5V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1915 pF @ 800 V | |
Verlustleistung (max.) | 313mW (Tj) |
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