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N-Channel 120 V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | PG-TDSON-8-1 | |
Basisproduktnummer | BSC190 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | OptiMOS™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8.6A (Ta), 44A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 39A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 42µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 120 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2300 pF @ 60 V | |
Verlustleistung (max.) | 69W (Tc) | |
Andere Namen | BSC190N12NS3 GCT-ND BSC190N12NS3 GCT BSC190N12NS3 GDKR-ND BSC190N12NS3 GTR-ND BSC190N12NS3GATMA1TR SP000652752 BSC190N12NS3 G BSC190N12NS3 GTR BSC190N12NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC190N12NS3GATMA1DKR BSC190N12NS3G BSC190N12NS3GATMA1CT BSC190N12NS3 GDKR BSC190N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC190N12NS3 G-ND |
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