BSC190N12NS3GATMA1

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MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON

NOVA-Teilenummer:

312-2282860-BSC190N12NS3GATMA1

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

BSC190N12NS3GATMA1

Standardpaket:

5,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 120 V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TDSON-8-1
Basisproduktnummer	BSC190
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	8.6A (Ta), 44A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 42µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	120 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2300 pF @ 60 V
Verlustleistung (max.)	69W (Tc)
Andere Namen	BSC190N12NS3 GCT-ND BSC190N12NS3 GCT BSC190N12NS3 GDKR-ND BSC190N12NS3 GTR-ND BSC190N12NS3GATMA1TR SP000652752 BSC190N12NS3 G BSC190N12NS3 GTR BSC190N12NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC190N12NS3GATMA1DKR BSC190N12NS3G BSC190N12NS3GATMA1CT BSC190N12NS3 GDKR BSC190N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC190N12NS3 G-ND