SIR696DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
NOVA-Teilenummer:
312-2282594-SIR696DP-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIR696DP-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 125 V 60A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

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KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer SIR696
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieThunderFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferPowerPAK® SO-8
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)125 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1410 pF @ 75 V
Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
Andere NamenSIR696DP-T1-GE3CT
SIR696DP-T1-GE3DKR
SIR696DP-T1-GE3TR

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