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RE1C002ZPTL
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
NOVA-Teilenummer:
312-2298697-RE1C002ZPTL
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
RE1C002ZPTL
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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P-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | EMT3F (SOT-416FL) | |
| Basisproduktnummer | RE1C002 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 200mA (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | SC-89, SOT-490 | |
| Vgs (Max) | ±10V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 115 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 150mW (Ta) | |
| Andere Namen | RE1C002ZPTLDKR RE1C002ZPTLTR RE1C002ZPTLCT |
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