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N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO252-3 | |
Basisproduktnummer | IPD034 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | OptiMOS™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 100A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 93µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 11000 pF @ 30 V | |
Verlustleistung (max.) | 167W (Tc) | |
Andere Namen | IPD034N06N3 GINTR-ND SP000451070 IPD034N06N3 GINCT IPD034N06N3 GINCT-ND IPD034N06N3 G-ND IPD034N06N3 GINDKR IPD034N06N3GATMA1CT IPD034N06N3 GINDKR-ND IPD034N06N3GATMA1TR IPD034N06N3 G IPD034N06N3G IPD034N06N3GATMA1DKR |
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