SQ2310ES-T1

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SQ2310ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 20V 6A TO236

NOVA-Teilenummer:

312-2264191-SQ2310ES-T1_GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SQ2310ES-T1_GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 20 V 6A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	SOT-23-3 (TO-236)
Basisproduktnummer	SQ2310
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max)	±8V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	485 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	2W (Tc)
Andere Namen	SQ2310ES-T1-GE3DKR SQ2310ES-T1-GE3DKR-ND SQ2310ES-T1-GE3 SQ2310ES-T1_GE3TR SQ2310ES-T1_GE3DKR SQ2310ES-T1-GE3TR SQ2310ES-T1-GE3TR-ND SQ2310ES-T1-GE3CT SQ2310ES-T1_GE3CT SQ2310ES-T1-GE3CT-ND